

概要PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产,它的应用范围很广。主要特点和优点可在ø8英寸晶圆上沉积尽管设计紧凑,但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。TEOS-S
| 品牌 | SAMCO |
|---|---|
| 型号/系列 | PD-220N |
| 产品名称 | SAMCO(萨姆科)等离子体增强型CVD设备 PD-220N |
| 分类 | 工业化学品 |
| 订货编码 | PD-220N |
| 产地 | 日本 |
概要PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产,它的应用范围很广。主要特点和优点可在ø8英寸晶圆上沉积尽管设计紧凑,但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。TEOS-S
适用于工业自动化设备、设备维修备件、产线改造、进口件替代、MRO 采购和工程选型场景。具体工况请结合品牌、型号、安装尺寸、接口和电气参数确认。
可协助确认原厂型号、同系列产品、替代型号、停产型号升级件、铭牌识别、图片寻源和非标定制需求。
如原型号停产、交期较长或价格波动,可提交品牌、型号、铭牌照片、设备应用和数量,由古屋电气协助评估替代方向。
提交询价PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。 PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%。 从尖端研究到半大规模生产,它的应用范围很广。
可在ø8英寸晶圆上沉积
尽管设计紧凑,但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。
TEOS-SiO2成膜系统可扩展
可增加TEOS等温室装置。 (这是一个选项)
各种硅基薄膜的形成
可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。
可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。
请提供品牌、型号、数量、使用行业、铭牌照片或旧件照片,古屋电气将协助确认供货、交期和替代可能性。
可以,可补充产品图片、铭牌、安装尺寸、接口、电压、功率、设备型号和应用场景。
可以,需要核对参数、安装尺寸、接口、精度、认证和现场工况,确认后再推荐替代方向。