

概要RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统,可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式,可产生均匀、高密度的等离子体。另外,可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC
| 品牌 | SAMCO |
|---|---|
| 型号/系列 | RIE-400iP |
| 产品名称 | SAMCO(萨姆科)ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iP |
| 分类 | 工业化学品 |
| 订货编码 | RIE-400iP |
| 产地 | 日本 |
概要RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统,可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式,可产生均匀、高密度的等离子体。另外,可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC
适用于工业自动化设备、设备维修备件、产线改造、进口件替代、MRO 采购和工程选型场景。具体工况请结合品牌、型号、安装尺寸、接口和电气参数确认。
可协助确认原厂型号、同系列产品、替代型号、停产型号升级件、铭牌识别、图片寻源和非标定制需求。
如原型号停产、交期较长或价格波动,可提交品牌、型号、铭牌照片、设备应用和数量,由古屋电气协助评估替代方向。
提交询价RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统,可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式,可产生均匀、高密度的等离子体。另外,可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。
新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"
可高效稳定地应用高射频功率(2千瓦以上),并实现良好的均匀性。
大流量排气系统
排气系统直接连接到反应室,可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。
端点监测
干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。
易于维护的设计
TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中,便于更换。
GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。
干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测,并可将蚀刻深度控制在所需深度。
请提供品牌、型号、数量、使用行业、铭牌照片或旧件照片,古屋电气将协助确认供货、交期和替代可能性。
可以,可补充产品图片、铭牌、安装尺寸、接口、电压、功率、设备型号和应用场景。
可以,需要核对参数、安装尺寸、接口、精度、认证和现场工况,确认后再推荐替代方向。